ICS 77. 040. 01 H 24 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T18032—2000 砷化傢单晶AB微缺陷检验方法 The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal 2000-04-03发布 2000-09-01实施 国家质量技术监督局 发布 中华人民共 和国 国家 标准 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 GB/T18032—2000 * 中国标准出版社出版发行 北京西城区复兴门外三里河北街16号 邮政编码：100045 http://www.spc.net.cn 电话：63787337、63787447 2000年9月第一版 2006年1月电子版制作 * 书号：155066·1-16984 版权专有 侵权必究 举报电话：（010)68533533 GB/T 18032—2000 前 言 砷化镓晶片是光电、微波及高速集成电路等器件的重要衬底材料。近年来，普遍认为衬底材料中的 AB微缺陷对器件的性能有明显的影响。例如对砷化镓FET器件性能进行测试之后，用AB腐蚀液显示 FET芯片上的AB微缺陷，发现芯片上的AB微缺陷密度高时，FET器件的低频跨导很低；当AB微缺 陷密度低时，FET的低频跨导较高。由此可见AB液显示的AB微缺陷密度对了解衬底质量和提高器件 性能是一个不可忽略的参数。 目前国内外都在对砷化家单晶AB微缺陷进行研究。但是在检验方法上还没有形成一个统一的规 范。在此时制定《砷化镓单晶AB微缺陷检验方法》的国家标准是适时的、非常必要的 本标准可为砷化傢材料和器件的生产、科研单位对AB微缺陷的检验提供依据。 本标准由国家有色金属工业局提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所归口。 本标准由北京有色金属研究总院起草。 本标准主要起草人：王海涛、钱嘉裕、王彤涵、宋 斌、樊成才。 I 中华人民共和国国家标准 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 GB/T 18032—2000 The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal 1适用范围 本标准规定了砷化镓单晶AB微缺陷的检验方法。 本标准适用于砷化镓单晶AB微缺陷密度（AB-EPD)的检验。检验面为（100)面。测量范围小于5X 10°cm-² 2定义 2.1AB腐蚀液ABetchant AB腐蚀液用于显示碑化镓单晶AB微缺陷及位错线的一种化学腐蚀剂。 2.2AB微缺陷ABmicrodefect 砷化镓单晶片经AB腐蚀液腐蚀后，在（100)面上显示出的椭圆状腐蚀坑所表征的微缺陷。 2.3AB微缺陷密度（AB-EPD）ABmicrodefectdensity 用AB腐蚀液显示出砷化镓单晶片（100）面上在单位表面积内AB微缺陷腐蚀坑的个数（个/cm²）。 3方法原理 采用择优化学腐蚀技术显示缺陷。由于单晶中缺陷附近的原子排序被破坏，晶格畸变，应变比较大， 在某些化学腐蚀剂中晶体缺陷处与非缺陷处腐蚀速度不同，利用这种异常的物理化学效应，在表面处产 生选择性的浸蚀，从而形成特定的腐蚀图形。 4化学试剂 4.1硫酸（H,SO,),分析纯。 4.2过氧化氢（H,O2)，分析纯。 4.3氢氟酸（HF）,分析纯。 4.4三氧化铬（CrO），分析纯。 4.5硝酸银（AgNO），分析纯。 4.6去离子水，电阻率大于5M2·cm。 5试样制备 5.1定向切割 从砷化单晶锭的待测部分经定向切取厚度0.5～0.8mm单晶片，晶面为（100）。晶向偏离小于 1度。 5.2研磨与抛光 国家质量技术监督局2000-04-03批准 2000-09-01实施 1