(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210206956.1 (22)申请日 2022.03.03 (71)申请人 上海富乐德智能科技发展 有限公司 地址 200444 上海市宝山区山连路181号10 幢 (72)发明人 杨炜 贺贤汉 蒋立峰 许俊  (74)专利代理 机构 上海申浩 律师事务所 31280 专利代理师 陆叶 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/10(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B24C 1/08(2006.01)F26B 21/00(2006.01) F26B 21/14(2006.01) (54)发明名称 一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生 方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体用ETCH设备中 belljar的再生方法, 包括硝氟酸浸泡: 将待再生 的belljar用3M胶带保护密封面, 用硝酸与氟酸 的混合液进行去膜; 用湿式喷砂机对belljar内 表面进行喷砂处理; 用尼龙刷对belljar内表面 进行打磨处理; 用温水进行浸泡; 打磨过的 belljar内表面进行高压水清洗; 将部件搬运至 100级无尘室进行超声波清洗, 而后采用超纯水 冲洗, 最后用氮气吹干。 干燥: 吹干后的部件放至 无尘烘箱内进行加热干燥。 有些工序是需要反复 多次的。 通过该再生方法, 实现belljar的重复稳 定利用。 权利要求书2页 说明书4页 CN 114664699 A 2022.06.24 CN 114664699 A 1.一种半导体用ETC H设备中Bel l jar的再生方法, 其特 征在于: 具体步骤如下: 步骤一、 第一次硝氟酸浸泡; 将待再生的belljar部件用胶 带保护密封面, 然后将belljar部件内表面朝上外表面朝 下放置在固定平台上, 之后将18%的氢氟酸和23%的硝酸混合液倒入belljar部件内进行 浸泡20‑30分钟; 步骤二、 湿式喷砂; 用湿式喷砂机和白刚玉对bel ljar部件进行喷砂作业; 步骤三、 第一次打磨; 用尼龙刷对belljar部件内表面进行整体打磨刷洗, 并避免尼龙刷本体塑料碰到部件 内壁; 步骤四、 第一次高压水洗; 步骤五、 第二次硝氟酸浸泡; 首先确认belljar部件 的密封面上的胶带仍然完好, 然后将部件整体放入用18%的氢 氟酸和23%的硝酸混合液中, 浸泡1 ‑2分钟; 步骤六、 第二次打磨; 用尼龙刷对belljar部件内表面进行整体打磨刷洗, 并避免尼龙刷本体塑料碰到部件 内壁; 步骤七、 第二次高压水洗; 步骤八、 温水浸泡; 步骤九、 第三次打磨; 用尼龙刷对belljar部件内表面进行整体打磨刷洗, 并避免尼龙刷本体塑料碰到部件 内壁; 步骤十、 第三次高压水洗; 步骤十一、 第一次干燥; 步骤十二、 超声 波清洗; 将belljar部件搬运至100级无尘室进行超声波清洗, 然后采用超纯水冲洗1min, 最后 用氮气吹干; 步骤十三、 第二次干燥; 将吹干后的部件放至无尘烘箱内进行加热干燥, 烘箱温度设定为140 ‑160℃, 恒温时间 设定为10 0‑140min, 程序结束后在40℃以下开烘 箱进行无尘包装。 2.根据权利 要求1所述的一种半导体用ETCH设备中B ell jar的再生方法, 其特征在于: 步骤二中, 湿式喷砂压力设定2 ‑3kg/cm2,砂材型号60目, 部件与喷砂枪的距离在10 ‑20cm之 间, 部件与喷砂枪的角度在45 ‑90°之间。 3.根据权利 要求1所述的一种半导体用ETCH设备中B ell jar的再生方法, 其特征在于: 步骤三、 步骤六和步骤九中用尼龙刷对bel ljar部件内表面进行整体打磨刷洗1 ‑3分钟。 4.根据权利 要求1所述的一种半导体用ETCH设备中B ell jar的再生方法, 其特征在于: 步骤四、 步骤七和步骤十的高压水洗具体如下: 用高压水枪对Bell  jar部件内部进 行冲洗, 时间1‑2分钟, 压力10 0psi。 5.根据权利 要求1所述的一种半导体用ETCH设备中B ell jar的再生方法, 其特征在于:权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 114664699 A 2步骤八温水浸泡具体如下: 用90 ±5℃的温水浸泡5 0‑70分钟, 去除部件表面的残酸。 6.根据权利 要求1所述的一种半导体用ETCH设备中B ell jar的再生方法, 其特征在于: 步骤十一第一次干燥具体如下: 用气枪 把部件表面水分吹干 。 7.根据权利 要求1所述的一种半导体用ETCH设备中B ell jar的再生方法, 其特征在于: 步骤十二、 超声波清洗具体如下: 将belljar部件 搬运至100级无尘室进 行超声波清洗, 超声 波频率为40~80KHz, 超声波清洗时间为25 ‑35min, 然后采用超纯水冲洗1 ‑2min, 最后用氮 气吹干。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 114664699 A 3

PDF文档 专利 一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生方法

文档预览
中文文档 7 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 0 收藏 3.0分
温馨提示:本文档共7页,可预览 3 页,如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档
专利 一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生方法 第 1 页 专利 一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生方法 第 2 页 专利 一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生方法 第 3 页
下载文档到电脑,方便使用
本文档由 SC 于 2024-02-24 00:47:55上传分享
站内资源均来自网友分享或网络收集整理,若无意中侵犯到您的权利,敬请联系我们微信(点击查看客服),我们将及时删除相关资源。