(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210189934.9 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人 中环领先半导体材 料有限公司 地址 214200 江苏省无锡市宜兴经济技 术 开发区东氿大道 (72)发明人 张宏杰　 (74)专利代理 机构 苏州高专知识产权代理事务 所(特殊普通 合伙) 32474 专利代理师 冷泠 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B08B 3/04(2006.01) B08B 3/14(2006.01) F26B 5/04(2006.01)F26B 21/00(2006.01) F26B 21/10(2006.01) (54)发明名称 一种大直径硅片 片盒清洗 工艺 (57)摘要 本发明公开了一种大直径硅片片盒清洗工 艺， 其清洗工艺包括以下步骤： S1、 首先需要进行 纯水预清洗， 通过上下喷淋的方式， 去除片盒表 面可水洗颗粒分子和金属离子， 清洗一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求， 接 着进行超声清洗， 将片盒整体浸泡在超声水槽 中， 水槽为溢流循环水， 设定一定的温度和超声 频率， 进行清洗一定时间， 通过超声的方式去除 片盒表面不易去 除的颗粒分子和金属离子， S2、 其次需要进行纯水最终清洗， 通过上下喷淋的方 式， 去除片盒表面超声后可水洗颗粒分子和金属 离子。 本发 明可以更加有效的去除硅片片盒表面 的颗粒杂质和金属离子， 提高硅片表面的洁净 度， 有效的防止 硅片的二次污染。 权利要求书1页 说明书4页 CN 114643218 A 2022.06.21 CN 114643218 A 1.一种大直径硅片 片盒清洗 工艺， 其特 征在于： 其清洗 工艺包括以下步骤： S1、 首先需要进行纯水预清洗， 通过上下喷淋的方式， 去除片盒表面可水洗颗粒分子和 金属离子， 清洗一定时间， 根据实际需求进 行选择， 这里不做具体要求， 接着进 行超声清洗， 将片盒整体浸泡在超声 水槽中， 水槽为溢流循环水， 设定一定的温度和超声频率， 进 行清洗 一定时间， 通过超声的方式去除片盒表面不易去除的颗粒分子和金属离子， 根据实际需求 进行选择， 这里不做具体要求； S2、 其次需要进行纯水最终清洗， 通过上下喷淋的方式， 去除片盒表面超声后可水洗颗 粒分子和金属离子， 设定一定纯水温度， 清洗一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做 具体要求， 接着进入第一片盒干燥区， 通过上下通气孔吹出干燥热空气， 对片盒进行预烘 干， 设定一定热空气温度， 烘干一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求； S3、 然后进入到第二片盒干燥区， 通过上下通气孔吹出干燥热空气， 对片盒进行烘干， 片盒可通过片盒架进 行左右移动， 使片盒烘干更充分， 设定一定热 空气温度， 烘干一定时间 为， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求， 接着进入第三片盒干燥区， 通过上下通气 孔吹出干燥热空气， 对片盒进行烘干， 片盒可通过片盒架进行前后移动， 使片盒烘干更充 分， 设定一定热空气温度， 烘干一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求； S4、 最后进入到第 一真空干燥区， 该区域形成封闭区域， 对经过烘干后的片盒进行真空 预干燥， 设定一定热空气温度， 真空度从760tor降低至50tor， 真空干燥一定时间， 根据实际 需求进行选择， 这里不做具体要求， 第二真空干燥区， 该区域形成封闭区域， 对经过烘干后 的片盒进行真空最终干燥， 设置一定热空气温度， 真空度 从50tor降低至5tor， 真空干燥一 定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求， 接着进入到缓冲区， 片盒经过真空干 燥后， 片盒的温度相对较高， 片盒在缓冲区 降温一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不 做具体要求， 降温后， 片盒 从清洗机中下载。 2.根据权利要求1所述的一种大直径硅片片 盒清洗工艺， 其特征在于： 所述纯水预清洗 和超声清洗的时间皆为70 0‑800s， 且超声清洗的温度为 40‑60℃， 超声频率 为25‑30KHZ。 3.根据权利要求1所述的一种大直径硅片片 盒清洗工艺， 其特征在于： 所述纯水最终清 洗纯水温度微40 ‑60℃， 清洗时间为700 ‑800s， 且预烘干热空气温度为55 ‑75℃， 烘干时间为 700‑800s。 4.根据权利要求1所述的一种大直径硅片片 盒清洗工艺， 其特征在于： 所述第 二片盒干 燥区和第三片盒干燥区的热空气温度皆为5 5‑75℃， 且烘干时间皆为70 0‑800s。 5.根据权利要求1所述的一种大直径硅片片 盒清洗工艺， 其特征在于： 所述第 一真空干 燥区真空预干燥热空气温度为50 ‑70℃， 真空干燥时间为300 ‑400s， 且真空最终干燥的热空 气温度为5 0‑70℃， 真空干燥时间为3 00‑400s， 且片盒在缓冲区降温时间为6 50‑750s。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114643218 A 2一种大直径硅片 片盒清洗工艺 技术领域 [0001]本发明涉及硅片生产技 术领域， 具体为 一种大直径硅片 片盒清洗 工艺。 背景技术 [0002]在米粒大的硅片上， 已能集成16万个晶体管， 这是科学技术进步的又一个里程碑， 地壳中含量达25.8 ％的硅元素， 为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉， 由于硅元素是地 壳中储量最丰富的元素之一， 对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言， 储量 的优势也是硅成为 光伏主要材料的原因之一， 硅片在生产加工过程中 需要进行清洗 。 [0003]目前硅片清洗只采用单一纯水喷淋， 去除片盒表面的颗粒杂质和金属离子， 然后 只进行单一热烘干， 以此保证片盒表面洁净度， 随着硅片尺寸的增大， 相应的片盒逐渐增 大， 无法有效清洗掉硅片片盒表面的颗粒杂质和金属离子， 导致清洗的洁净度较低效果不 佳。 发明内容 [0004]本发明的目的在于提供一种大直径硅片片盒清洗工艺， 以解决上述背景技术中提 出的目前硅片清洗只采用单一纯水喷淋， 去除片盒表面的颗粒杂质和金属离子， 然后只进 行单一热烘干， 以此保证片盒表面洁净度， 随着硅片尺寸的增大， 相应的片盒逐渐增大， 无 法有效清洗掉硅片片盒表面的颗粒杂质和金属离子， 导致清洗的洁净度较低效果不佳的问 题。 [0005]为实现上述目的， 本 发明提供如下技术方案： 一种大直径硅片片盒清洗工艺， 其清 洗工艺包括以下步骤： [0006]S1、 首先需要进行纯水预清洗， 通过上下喷淋的方式， 去除片盒表面可水洗颗粒分 子和金属离子， 清洗一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求， 接着进行超声 清洗， 将片盒整体浸泡在超声水槽中， 水槽为溢流循环水， 设定一定的温度和超声频率， 进 行清洗一定时间， 通过超声的方式去除片盒表面不易去除的颗粒分子和金属离子， 根据实 际需求进行选择， 这里不做具体要求。 [0007]S2、 其次需要进行纯水最终清洗， 通过上下喷淋的方式， 去除片盒表面超声后可水 洗颗粒分子和金属离子， 设定一定纯水温度， 清洗一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里 不做具体要求， 接着进入第一片盒干燥区， 通过上下通气孔吹出干燥热空气， 对片盒进行预 烘干， 设定一定热空气温度， 烘干一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求。 [0008]S3、 然后进入到第二片盒干燥区， 通过上下通气 孔吹出干燥热空气， 对片盒进行烘 干， 片盒可通过片盒架进行左右移动， 使片盒烘干更充分， 设定一定热空气温度， 烘干一定 时间为， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求， 接着进入第三片盒干燥区， 通过上下 通气孔吹出干燥热 空气， 对片盒进行烘干， 片盒可通过片盒架进 行前后移动， 使片盒烘干更 充分， 设定一定热空气温度， 烘干一定时间， 根据实际需求进行选择， 这里不做具体要求。 [0009]S4、 最后进入到第一真空干燥区， 该区域形成封闭区域， 对经过烘干后的片盒进行说　明　书 1/4 页 3 CN 114643218 A 3