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ICS 29.120.50 K 31 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012 代替GB/T13539.4—2009 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体 的补充要求 Low-voltage fuses- Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC60269-4:2012,IDT) 2016-04-25发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 CB/T13539.4—2016/IEC60269-4:2012 目 次 前言 1 总则 2术语和定义 3正常工作条件 4分类 5 熔断器特性 7 设计的标准条件 8试验 附录AA(资料性附录) 熔断体和半导体设备的配合导则 18 附录BB(规范性附录) 制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体 的资料 ...+. .....22 附录CC(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例 23 参考文献 39
GB-T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
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