ICS 31.200 L56 GP 中华人民共和国国家标准 GB/T15877—2013 代替GB/T15877—1995 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范 Semiconductor integrated circuits- Specification of DIP leadframes produced by etching 2013-12-31发布 2014-08-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 15877—2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T15877-1995《蚀刻型双列封装引线框架规范》。与GB/T15877—1995相比主 要技术变化如下： 关于第2章规范性引用文件：抽样标准由GB/T2828.1一2012代替SJ/Z9007一1987， GB/T14112—1993改为GB/T14112—2015；增加引用文件GB/T2423.60—2008、SJ20129； 第3章增加了标称长度、侧蚀、表面腐蚀、芯片粘接区下陷的术语和定义； 4.1引线框架尺寸中，删除了引线键合区的最小面积、金属间的间隔的有关内容； 4.2引线框架形状和位置公差中，删除了精压区共面性、精压区深度的有关内容，增加了绝缘 间隙、芯片粘接区下陷、引线框架内部位置公差的有关要求； 厚度进行规定； 修改了“横弯”的要求：原标准根据引线数及条宽数进行规定，本标准根据标称长度进行规定； 修改了“条带扭曲”的要求：原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm，本标准将框架扭曲修改 为条带扭曲，并根据材料的厚度进行规定； 修改了“引线扭曲”的要求：原标准中仅规定了引线扭曲不大于0.01mm，本标准规定引线扭曲 不超过3°30； 修改了“芯片粘接区斜度”的要求：原标准中分别规定了受压和不受压情况下的斜度，本标准统 一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm； 修改了“芯片粘接区平整度”的要求：本标准将芯片粘接区平面度修改为芯片粘接区平整度，原 标准根据引线数来规定，本标准统一规定为离每边0.127mm处，平整度不大于0.005mm； 对4.3引线框架外观中相应条款进行了调整，增加了毛刺、凹坑、压痕、划痕、侧蚀和表面腐蚀 的有关要求； 修改了“局部镀金”的要求：原标准中规定镀金层厚度不小于1.0um，本标准修改为不小于 0.7 μm; 修改了“局部镀银”的要求：原标准中规定镀银层厚度不小于3.8μm，本标准修改为不小于 3 μm; 修改了“镀层外观”的要求：在原标准的基础上，增加了对镀层外观的相关要求； 增加了“铜剥离试验”的有关要求； 增加了“银剥离试验”的有关要求； 增加了“鉴定批准程序”的有关要求； 修改了“检验要求”的要求：原标准采用一次性检验方法，本标准修改质量一致性检验为由 A组、B组、C组检验项目组成；修改了“检验要求”中的抽样方案； 修改了“贮存”的有关要求：原标准镀银引线框架保存期为三个月，本标准规定为六个月。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78)归口。 I