ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T35307—2017 流化床法颗粒硅 Granular polysilicon produced by fluidized bed method 2018-07-01实施 2017-12-29发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35307—2017 前言 本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草， 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业（青海）有限 公司、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、陕西 天宏硅材料有限责任公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 夏进京、张雪囡、尹敏、秦榕。 GB/T 35307—2017 流化床法颗粒硅 1范围 本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运 输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法 GB/T 31854 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T35309 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程 ISO 13322.2 粒度分析-图像分析法第2部分：动态图像分析方法（Partical sizeanalysis-Image analysis methodsPart 2:Dynamic image analysis methods) 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4要求 4.1牌号 颗粒硅的牌号表示按GB/T14844的规定，可表示为： -PSi-G--□ 表示用途，E表示电子级，S表示太阳能级 颗粒硅等级，特级用“T”表示，其他用阿拉伯数字表示 表示颗粒状 表示多晶硅 表示生产方法，G表示硅烷法 4.2 2技术指标 颗粒硅的等级及相关技术指标要求应符合表1的规定。 1 GB/T35307—2017 表1技术指标 技术指标 项目 特级 1级 2级 3级 施主杂质浓度 ≤0.30 ≤1.10 2.30 ≤4.80 10-(ppba) 受主杂质浓度 0.20 ≤0.26 ≤0.54 ≤1.32 10-(ppba) 碳浓度 <2.0×1016 ≤2.5×101? ≤3.0×1017 ≤5.0×1017 atoms/cm3 氢浓度 08V ≤30 08V ≤30 mg/kg 总金属杂质平均浓度 (Fe,Cr,Ni,Cu、Na) 10 ≤100 ≤300 ≤600 ng/g 4.3尺寸 4.3.1 特级颗粒硅中线性尺寸小于或等于300μm的颗粒硅重量占比应不大于0.5%。 4.3.21等级、2等级、3等级颗粒硅的尺寸应符合下列要求： a） 小于150μm的颗粒硅重量占比应不大于5%； b）150μm~4000μm的颗粒硅重量占比应不小于90%； c）大于4000um的颗粒硅重量占比应不大于5%。 4.4表面质量 颗粒硅的外观应无色斑、变色，无可见的污染物和氧化的外表面，无肉眼可见异物。 5试验方法 5.1施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度的检测前，需按照GB/T35309规定的方法将颗粒硅样品制 备成单晶试样后进行。 5.2颗粒硅的施主杂质浓度、受主杂质浓度的检验按GB/T24581的规定进行。 5.3颗粒硅的碳浓度检验按GB/T1558的规定进行。 5.4颗粒硅的氢浓度测定用基于熔融后非色散红外吸收法原理的氢分析仪进行，或用供需双方商定的 方法检验。 5.5果 颗粒硅的总金属杂质平均浓度测定按GB/T31854的规定进行。 5.6 颗粒硅的尺寸用筛分法检验，或按ISO13322.2的规定进行，也可用供需双方商定的方法检验。 5.7 颗粒硅的表面质量用目视检查。 6 检验规则 SAC 6.1 检查和验收 6.1.1 产品应由供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 2